Оперативную память скрестили с жестким диском
Всего год назад , трехуровневые флэш-ячейки TLC (Triple-Level Cell) для традиционной NAND-памяти, магниторезистивную память с произвольным доступом MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory), а также еще один проект самой компании IBM на базе микроэлектромеханических MEMS-элементов под названием Millipede.
Важность нового сообщения заключается в том, что впервые исследователи из IBM смогли разместить рабочие нановолокна на стандартном кремниевом чипе с помощью существующих массовых технологий.
Сами нановолокна образованы путем размещения железо-никелевого покрытия на слое кремния. После этого часть покрытия удаляется, формируя отдельные проводники – эта операция выполняется обычными методами фотолитографии. Каждый из получаемых проводников имеет в длину около 10 микрометров, ширину 140 нанометров и толщину 20 нанометров.
Во время рассказа о рабочем опытном образце чипа с технологией Racetrack руководитель проекта Стюарт Паркин признал, что сейчас все усилия команды сосредоточены на механизме для размещения сразу нескольких бит информации в одном нановолокне. Сейчас каждое такое волокно может хранить не более 1 бита, что лишает технологию ключевого преимущества — теоретически очень высокой плотности хранения данных. Решить проблему должны новые материалы, которые помогут уменьшить расстояние между стенками магнитных доменов – это позволит с легкостью помещать в волокно последовательности данных, состоящие из огромных серий нулей и единиц.
По материалам сайтов MIT Technology Review, Wired, The Register и GigaOM.