Создана альтернатива оперативной и постоянной памяти
08-02-2012
Мы не раз писали о передовых исследованиях компании HP в области мемристоров, существование которых давно предсказано, но до сих пор было неизвестно, как скоро эти элементы займут свое место в серийной электронной продукции. Стоит напомнить, что мемристоры являются важным недостающим дополнением к стандартным элементам электронных схем – транзистору, резистору и конденсатору. Мемристор представляет собой пассивный логический элемент, изменяющий и сохраняющий сопротивление под действием проходящего через него электрического тока.
О грандиозных планах HP по созданию нового собственного производства электронных компонентов сообщил Стэн Уильямс (Stan Williams), человек, который стоит во главе создания мемристоров, долгое время считавшихся чисто теоретическим элементов. Стэн Уильямс, старший научный сотрудник HP, на конференции IEF2011 заявил, что технология, призванная заменить нынешнюю флэш-память, должна встать на конвейер уже через 18 месяцев, а альтернатива оперативной памяти DRAM должна пойти в массовое производство через 3-4 года. Вместе с созданием замены флэш-памяти компания HP стремится создать и собственные твердотельные SSD-накопители. По словам Уильямса, будущие образцы оперативной и постоянной памяти будут на два порядка более эффективными по сравнению с нынешними технологиями с точки зрения затрат энергии на переключение состояния элементов.
Технология HP позволяет размещать слои элементов памяти прямо на поверхности процессора – предполагается, что такой подход поможет производить очень быстрые и мощные интегрированные микросхемы класса «полная система на одном чипе». Как говорит сам Уильямс, отказ от размещения памяти в отдельных микросхемах позволит выполнить эмпирический «закон Мура» на 20 лет вперед. Уильямс признает, что, несмотря на то, что сейчас опытное производство выпустило уже сотни пластин с мемристорами, конечная технология еще далека от готовности к серийному производству. Тем не менее, реализация мемсристоров в виде тончайшей пленки на базе двуокиси титана позволяет разместить произвольное число слоев памяти прямо на центральном процессоре. Теоретическая плотность запоминающих элементов на базе мемристоров в слое толщиной 5 нанометров составляет до 500 млрд. элементов на один слой.
На вопрос, почему компания HP решила вернуться к самостоятельному выпуску аппаратных компонентов, Уильямс ответил, что сейчас компания HP является крупнейшим в мире покупателем оперативной памяти (DRAM) и вторым в мире покупателем флэш-памяти. На данный момент компания HP ведет активную работу над изменением ситуации и перестройки своих цепочек поставки. План HP состоит в том, чтобы лицензировать новую технологию всем желающим, причем сторонние производители могут получить и сами технологии изготовления мемристоров. В то же время, потенциальным получателям лицензий придется встать в очередь – слишком многие производители уже выразили заинтересованность. По признанию Уильямса, одной из причин такого технологического прорыва стало то, что в последнее время не было видно каких-то поражающих воображение инноваций в сфере электроники. Примечательно, что в компании Samsung, как говорит сам Уильямс, над теми же вопросами работает еще больше исследователей.
В свое время Стэна Уияльмса пригласил в компанию HP один из ее основателей – Дэвид Паккард (David Packard), чтобы создать в HP направление нанотехнологий. Уильямс пережил семерых генеральных директоров, но по его собственным словам, никогда не чувствовал каких-либо помех или попыток отказаться от выбранного направления.
Подробнее о возврате компании HP в производство электронных компонентов с революционной технологией мемристоров можно прочитать в обзорах на сайтах Electroniсs Weekly, Computer World и EE Times.
